英飞凌与英飞源携手拓展必威bw充电市场，谋划合作共赢

9月21日，英飞凌科技股份公司（FSE:  IFX / OTCQX: IFNNY）宣布与中国的必威bw充电市场领军企业英飞源达成合作。英飞凌将为英飞源提供业内领先的1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半导体器件，用于提升电动汽车充电站的效率。

作为最早将沟槽栅技术用于晶体管的SiC功率半导体制造商之一，英飞凌推出了帮助提高充电解决方案可靠性的先进设计。这些器件具有高阈值电压，并简化了栅极驱动。CoolSiC  MOSFET技术在上市前已通过马拉松应力试验及栅极电压跳变应力试验，并在上市后定期进行监控，以确保拥有最高栅极可靠性。

通过采用英飞凌1200 V CoolSiC MOSFET，使得英飞源的30  kW直流充电模块能够实现宽恒功率范围、高功率密度、最小电磁辐射和干扰、高保护性能以及高可靠性。这使其不仅能够满足大多数电动汽车的快速充电需求，还能实现比市场上的其他解决方案高出1%的效率。这有助于大幅降低能耗和碳排放，达到全球领先水平。

责任编辑：苏城

文章来源：//www.bobws.com/2023/0922/7015.shtml